多点シリコン電極

 in vivo/in vitro実験に対応した低侵襲シリコン神経プローブの開発

in vivo/in vitroの両方の記録実験に対応するために記録電極を先端部と中央部に配置し,目的に応じて記録電極を使い分ける. また,複数の長さのシリコンプローブを用意して,様々な深さでの記録を可能としている. 刺入時の細胞損傷抑制のために,プローブ先端部を尖鋭化加工している.
  • 先端部の電極配置
    電極数:4点
    電極配置:間隔40μmで正三角形の頂点と中心に配置
  • 中央部の電極配置
    電極数:9点
    電極配置:直線上に間隔100μmで配置
  • プローブ長:1cm,2cm,4cm

 光導波路付きシリコン神経プローブの開発

神経プローブ上に光導波路を形成することで脳深部に光を照射することができる. 遺伝子導入によってチャネルロドプシンを発現させて光感受性を持たせた神経細胞に対する光刺激と同時電気記録が可能である. 作製した光導波路付きシリコン神経プローブを用い,チャネルロドプシンを発現させた神経細胞に対して光照射を行い,光に応じて神経細胞の発火率が上昇することを確認している.